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J-GLOBAL ID：201702292373049476   整理番号：17A0167102

固体硫化物膜の特性に及ぼす硫化時間の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Sulfurization Time on Properties of CZTS Thin Films by Solid-state Sulfurization

著者 (4件)： Cao Zhongming (School of Materials and Energy,Guangdong University of Technology) ,  Yang Yuanzheng (School of Materials and Energy,Guangdong University of Technology) ,  Xu Jiaxiong (School of Materials and Energy,Guangdong University of Technology) ,  Xie Zhiwei (School of Materials and Energy,Guangdong University of Technology)
資料名： Cailiao Gongcheng  (Cailiao Gongcheng)
巻： 44  号： 9  ページ： 63-67  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2125A  ISSN： 1001-4381  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 銅XinXi硫(CU_2ZNSNS_4,CZTS)薄膜を,硫化亜鉛(CU_2ZNSNS_4,CZTS)薄膜を調製するために,固体硫化亜鉛(CZT)を用いて調製し,そして,CZTS薄膜の特性に及ぼす硫化時間の影響を研究した。X線回折(XRD)とX線回折(XRD)を用いて薄膜の相構造を分析し、X線エネルギー分散分光法(EDS)を用いて薄膜の化学成分を分析し、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて薄膜の表面形態を観察し、UV-VISを用いて薄膜の光学特性を研究した。結果は以下を示す。硫化時間が長くなるにつれて,CU含有量は増加し,ZN含有量は明らかに減少した。40分以上の硫化によって調製した薄膜は,禁止帯の幅が減少した相のSNS,SN_2S_3およびCU_2SNS_3を形成した。硫化時間が20MINの時、サンプルは単相のCZTS薄膜であり、薄膜の表面は均一に代かき、化学組はCUリッチSNを吸収し、吸収係数は104CM(-1)に達し、禁止帯のEGは約1.56EVである。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 単相 ,  X線 ,  硫化亜鉛 ,  光学的性質 ,  吸収係数 ,  *硫化 ,  バンドギャップ ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  薄膜
準シソーラス用語： 表面形態 ,  化学成分 ,  エネルギー分散分光法 ,  CZTS , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： magnetron sputtering ,  CZTS thin film ,  solid-state sulfurization ,  sulfurization time

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： 固体 ,  硫化物 ,  硫化