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J-GLOBAL ID：201702293532321565   整理番号：17A0214152

自己整合InGaAs MOSFETと低減における電場誘起F~-移動【Powered by NICT】

Electric-field induced F^- migration in self-aligned InGaAs MOSFETs and mitigation

著者 (4件)： Cai Xiaowei (Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA) ,  Lin Jianqiang (Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA) ,  Antoniadis Dimitri A. (Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA) ,  del Alamo Jesus A. (Microsystems Technology Laboratories, MIT, 60 Vassar St, Cambridge, MA, 02139 USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 3.4.1-3.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは初めて,自己整合InGaAs MOSFETに正のゲートストレスを適用した後に,相互コンダクタンスの顕著だが完全に可逆的な増強を報告した。RIEゲートリセスプロセス中に導入されたフッ素イオン(F~ )の電場誘起マイグレーションに起因するとした。F~-はInAlAs中のSiドナーを不動態化することが知られている。このデバイス構造では,n InAlAsレッジは固有のデバイスへの接触からリンクを容易にした。を二次イオン質量分光法(SIMS)を用いてこのプロセスはInAlAs層にF杭をもたらすことを独立的に評価した。伝送線路モデル(TLM)構造はF~誘導ドナー不動態化を確認した。得られた理解はInAlAs層を除去することによって著者らのInGaAs MOSFETを再設計することを導き,代わりにn-InPレッジを用いた。新しい装置設計は大幅に改善された電気的安定性,記録性能を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 二次イオン ,  相互コンダクタンス ,  リン化インジウム ,  ドナー ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  不動態化 ,  *MOSFET ,  素子構造 ,  *電場 ,  ケイ素 ,  *自己整合
準シソーラス用語： 装置設計 ,  伝送線路モデル ,  ヒ化インジウムアルミニウム ,  フッ化物イオン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 自己整合 ,  InGaAs ,  MOSFET ,  電場 ,  誘起