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J-GLOBAL ID：201702295151957189   整理番号：17A0329203

マイクロバンププロセスの開発と改善を分離【Powered by NICT】

Isolate micro-bump process development and improvement

著者 (6件)： Li H. Y. (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02, Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Wing Leong Yew (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02, Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Gilho Hwang (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02, Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Piau Chong Kok (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02, Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Jaafar Norhanani Binte (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02, Innovis Tower, Singapore 138634) ,  Chungpaiboonpatana Surasit (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, #08-02, Innovis Tower, Singapore 138634)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 743-747  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低密度マイクロバンプは3D及び2.5D包装内側で様々な技術関連の集合に必要であった。リフロー後6μmと8μmバンプ高さは,15μmおよび25μm(Cu/SnAg)直径マイクロバンプに必要であった。同時に,15μmと25μm直径マイクロバンプのパターン密度は0.045%と0.127%であった。プロセス課題,評価と開発を報告した。25μmと15μmマイクロバンプのプロセス開発と最適化後の平均試験収率はそれぞれ94.5%と47.5%であった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 最適化 ,  三次元 ,  *バンプ ,  プロセス開発 ,  改変
準シソーラス用語： *マイクロバンプ ,  低密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： マイクロバンプ ,  プロセス ,  開発