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J-GLOBAL ID：201702295239451639   整理番号：17A0343876

0格子不整合InAs/GaSb型IISuperlatticeの分子ビームエピタクシー【Powered by NICT】

Molecular Beam Epitaxy of Zero Lattice-Mismatch InAs/GaSb Type-IISuperlattice

著者 (5件)： Yu Hailong (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Haoyue (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhu Haijun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Song Guofeng (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Xu Yun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 12  ページ： 128103-1-128103-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 13InAs単分子層(ML)と7GaSb MLで作られたII型InAs/GaSb超格子は固体源分子ビームエピタクシーによりGaSb基板上に成長させた。格子整合構造を得るために,薄いInSb層,InAsとGaSb層の間に挿入した。InSb堆積時間,V/IIIビーム等価圧力比と中断時間各層の間の影響を調べるために一連の実験を完了し,高分解能X線回折と原子間力顕微鏡を用いた超格子(SL)構造を特性化した。最適化された成長パラメータは期間SL構造を成長させるために適用し,最初のSL衛星ピークに対して29.55arcsecの半値全幅マキシマムμmと零次SLピークとGaSb基板ピーク間の零格子不整合をもたらした。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MBE成長 ,  アンチモン化インジウム ,  *格子不整合 ,  原子間力顕微鏡 ,  単分子層 ,  FWHM ,  *ヒ化インジウム ,  キャラクタリゼーション ,  超格子 ,  *アンチモン化ガリウム ,  最適化 ,  格子整合
準シソーラス用語： 生長パラメータ ,  高分解能X線回折 ,  圧力比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (4件)： 格子不整合 ,  InAs ,  GaSb ,  分子ビームエピタクシー