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J-GLOBAL ID：201702295823364136   整理番号：17A0365714

Si基板上に成長させたZnO膜の微細構造に関連した圧電特性【Powered by NICT】

Microstructure-related piezoelectric properties of a ZnO film grown on a Si substrate

著者 (9件)： Qin Wei Wei (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Li Yu Tong (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Li Tao (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Qiu Jun Wen (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Ma Xian Jun (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Wei Du (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Chen Xiaoqiang (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Hu Xue Feng (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China) ,  Zhang Wei (State Key Laboratory of Material-oriented Chemical Engineering and School of Chemical Engineering, Nanjing Tech University, Nanjing, Jiangsu, 210009 PR China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 15  ページ： 16927-16934  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 300 700°Cの温度範囲でパルスレーザアブレーションによりSi基板上に堆積した異なる粒径の膜と固定の厚さ800nmを用いたZnOの圧電特性に及ぼす結晶粒径の影響を調べた。全ての堆積膜はc軸配向した結晶構造を有していた。,透過型電子顕微鏡(TEM)によって特性化され,成長した膜の粒径は蒸着温度とともに増加した。対照的に,圧電応答力顕微鏡(PFM)により特性化し,それらの圧電効率(PE,d_33)は初期に500°Cまで堆積温度と共に増加することが分かった,その後,温度がさらに増加すると減少した。最大PE値は約60nmの結晶粒サイズを持つ500°Cで堆積した膜で観測された。観察された特異なPE挙動は,強化された静的非対称性に起因した大きなd_33値をc軸配向の寄与とドメイン運動の結果としての圧電分極に影響を及ぼすことを強い結晶粒サイズ効果の間の競合によって理論的に説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 粒径 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *圧電気 ,  結晶粒径 ,  キャラクタリゼーション ,  非対称性 ,  結晶構造 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 圧電応答力顕微鏡 ,  蒸着温度 ,  c軸配向 ,  パルスレーザアブレーション ,  温度範囲 ,  *圧電特性 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 粒径 ,  パルスレーザアブレーション ,  ZnO薄膜 ,  圧電効率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  成長 ,  ZnO ,  微細構造 ,  圧電特性