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J-GLOBAL ID：201702296387477153   整理番号：17A0447431

ヒステリシスを効率的に減少させると平面ペロブスカイト太陽電池の安定性を改善するための新しい処理ルート開く正孔輸送材料用の新しいドーパント【Powered by NICT】

The novel dopant for hole-transporting material opens a new processing route to efficiently reduce hysteresis and improve stability of planar perovskite solar cells

著者 (6件)： Luo Junsheng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Jia Chunyang (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Wan Zhongquan (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Han Fei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Zhao Bowen (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Microelectronics and Solid-State Electronics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 610054, PR China) ,  Wang Ruilin (College of Materials Science and Engineering, Sichuan University, Chengdu, 610065, PR China)
資料名： Journal of Power Sources  (Journal of Power Sources)
巻： 342  ページ： 886-895  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0703B  ISSN： 0378-7753  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最も有望な次世代光起電力素子としてペロブスカイト太陽電池(PSC)は大きな注目を集めている。PSCデバイスでは,入院,スピロ-OMeTADは最も広く使用されている正孔輸送材料(HTM)である。しかし,純粋なスピロ-OMeTADは低い正孔移動度と伝導度,伝導率,電力変換効率(PCE)を改善を増加するための化学的ドーパント(LiTFSIとtBP)を必要とするという問題を抱えている。Discouragingly,吸湿LiTFSIはれきペロブスカイト膜を分解し,PSCの安定性を低下させることができる。tBPも[PbI_2tBP]配位錯体またはiodopyridinate複合体を形成することによりペロブスカイト膜の劣化を生じさせた。本研究では,一般的に使用されるLiTFSIとtBPを代替する代替ドーパントとしてF4-TCNQはスピロ-OMeTADに導入した。F4-TCNQのドーピング濃度を最適化することにより,1.5mo1%F4-TCNQをドープしたスピロ-OMeTADに基づくPSCは12.93%の最良のPCE,LiTFSI及びtBPドープしたスピロ-OMeTADを持つ参照デバイスのための14.32%のそれと同等であることを示した。さらに,F4-TCNQをドープしたスピロ-OMeTADに基づくPSCは低いヒステリシスおよび良好な安定性を示した。スピロ-OMeTADのための有望なドーパントを提供するだけでなく,ヒステリシスと不安定性の課題に対処するために実行可能なアプローチを提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ドーピング ,  錯体 ,  不安定性 ,  複合体 ,  *ドーパント ,  *ヒステリシス ,  最適化 ,  光起電素子 ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 吸湿 ,  電力変換効率 ,  伝導率 ,  正孔移動度 ,  *正孔輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ペロブスカイト太陽電池 ,  正孔輸送材料 ,  ドーパント ,  ヒステリシス ,  安定性

分類 (1件)： 二次電池  (YB04030K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ヒステリシス ,  ペロブスカイト太陽電池 ,  安定性 ,  正孔輸送 ,  ドーパント