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J-GLOBAL ID:201702296963218958   整理番号:17A0449177

Tb~3+をドープしたガリウム酸塩蛍光体における高温長持続性光刺激ルミネセンス【Powered by NICT】

High-temperature long persistent and photo-stimulated luminescence in Tb3+ doped gallate phosphor
著者 (8件):
資料名:
巻: 701  ページ: 774-779  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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適切な欠陥レベルの形成は,生命科学,エネルギー・環境技術への初期土木用途の広い範囲の応用を提供する電子捕獲材料の光学性能に重要である。結晶方向に沿ってカチオンの一次元鎖構造を有するSrGa_2O_4は,固有欠陥に関連した自己活性化青色長持続性ルミネセンス(LPL)を示した。Tb~3+イオンを導入した場合,異なるトラップ深さはSr~2+による占有SrGa_2O_4含有チャンネルのこの三次元フレームワークにおける逐次欠陥構造を形成する生成した。浅いトラップに捕獲されたキャリアである自発的に室温で放出され,Tb~3+のルミネセンス中心の再結合,最終的にTb~3+の特徴的な発光を引き起こした。トラップは室温でキャリアの熱退色を防ぐために非常に重要である深い,LPLは328でSrGa_2O_4:Tb~3+蛍光体で達成された。さらに,Tb~3+イオンに起因する光刺激ルミネセンス(PSL)は室温でより深いトラップにおけるトラップされたキャリアの放出を持った980nmレーザダイオードにより誘導されるSrGa_2O_4:Tb~3+蛍光体で実現した。著者らの結果は,浅部と深部の取込のための多重トラップを用いた連続欠陥構造の存在であるSrGa_2O_4:Tb~3+蛍光体の熱安定性,室温,太陽エネルギー利用のようなより高い熱エネルギーを持つ厳密な環境における,およびin vivoイメージングへの応用の可能性を提供することができるをもたらすことを推定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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無機化合物のルミネセンス 
タイトルに関連する用語 (5件):
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