特許
J-GLOBAL ID：201703000425683673
光電変換素子、およびこれに用いられる有機半導体化合物
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
植木 久一
, 植木 久彦
, 菅河 忠志
, 伊藤 浩彰
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016053344
公開番号（公開出願番号）：WO2016-132917
出願日： 2016年02月04日
公開日（公表日）： 2016年08月25日
要約：
本発明は、多様な骨格や置換基を導入できる高分子化合物を用いて高い開放電圧を発現する光電変換素子を提供することにある。本発明の光電変換素子は、基材と、カソードと、活性層と、アノードとがこの順に配置された構造を有する光電変換素子であって、前記活性層に、式(1)で表されるベンゾビスチアゾール構造単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とする。 [式(1)中、 T1、T2は、それぞれ独立に、アルコキシ基、チオアルコキシ基、炭化水素基もしくはオルガノシリル基で置換されていてもよいチオフェン環、炭化水素基もしくはオルガノシリル基で置換されていてもよいチアゾール環、または、炭化水素基、アルコキシ基、チオアルコキシ基、オルガノシリル基、ハロゲン原子、もしくは、トリフルオロメチル基で置換されていてもよいフェニル基を表す。 また、B1、B2は、炭化水素基で置換されていてもよいチオフェン環、炭化水素基で置換されていてもよいチアゾール環、または、エチニレン基を表す。]
請求項（抜粋）：
基材と、カソードと、活性層と、アノードとがこの順に配置された構造を有する光電変換素子であって、前記活性層に、式(1)で表されるベンゾビスチアゾール構造単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とする光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 152B
, H01L31/04 152G
5F151AA11
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA03
