特許

J-GLOBAL ID：201703001701903271

窒化物半導体自立基板作製方法

発明者： 松岡 隆志
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (2件)： 山川 茂樹 ,  山川 政樹
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016051841
公開番号（公開出願番号）：WO2016-132815
出願日： 2016年01月22日
公開日（公表日）： 2016年08月25日
要約：

成長層(103a)の上に、主表面をN極性とした状態でGaNを結晶成長してGaNの結晶からなるブール(104)を形成する。バッファ層(102)の形成に用いたMOVPE装置を用いた連続処理により、アンモニアおよびトリメチルガリウムをソースとしたMOVPE法で、成長層(103a)を構成する各成長島を核とし、GaNをエピタキシャル成長させればよい。

請求項（抜粋）：

結晶からなる成長基板の主表面上に、GaN、AlN、InGaN、およびInNのいずれかの窒化物半導体からなるバッファ層を形成する第1工程と、 前記バッファ層を加熱して単結晶化し、上面がN極性とされた六角柱状の複数の成長島からなる結晶化層を形成する第2工程と、 前記成長基板の平面に平行な方向への成長を促進させることにより前記成長島を凝集させて連続した成長層を形成する第3工程と、 前記成長層の上に、主表面をN極性とした状態で前記窒化物半導体を結晶成長して前記窒化物半導体の結晶からなるブールを形成する第4工程と、 前記ブールより前記成長基板を取り除く第5工程と、 前記ブールを分割して複数の窒化物半導体自立基板を作製する第6工程と を備えることを特徴とする窒化物半導体自立基板作製方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

C30B29/38 D ,  C30B29/38 C ,  C30B29/38 Z ,  C30B25/02 Z ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

Fターム (41件)：

4G077AA02 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE05 ,  4G077EE06 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK08 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030DA02 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53