特許
J-GLOBAL ID：201703003650489230
希土類薄膜磁石及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小越 一輝
, 小越 勇
, 若土 雅之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-535097
特許番号：特許第6208405号
出願日： 2017年03月29日
要約：
【要約】Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、表面に酸化膜が形成されたSi基板上に化学量論組成よりNd含有量が多い組成のNd-Fe-B下地膜を備え、下地膜の上にα-Fe相とNd2Fe14Bとが交互に配列し、かつ3次元的に分散した組織を有する膜(ナノコンポジット膜)を備えることを特徴とする希土類薄膜磁石。膜剥離や基板破壊の発生が少なく、良好な磁気特性を備えた希土類薄膜磁石を提供することを課題とする。
【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 Nd、Fe、Bを必須成分とする希土類薄膜磁石であって、表面に酸化膜が形成されたSi基板上に化学量論組成よりNd含有量が多い組成のNd-Fe-B下地膜を備え、下地膜の上にα-Fe相とNd2Fe14Bとが交互に配列し、かつ3次元的に分散した組織を有する膜(ナノコンポジット膜)を備えることを特徴とする希土類薄膜磁石。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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