特許
J-GLOBAL ID：201703005214846730
α窒化ケイ素の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
堅田 健史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-252209
公開番号（公開出願番号）：特開2017-114727
出願日： 2015年12月24日
公開日（公表日）： 2017年06月29日
要約：
【課題】β窒化ケイ素の生成を抑制し、α窒化ケイ素を高い収率で生成することである。【解決手段】α窒化ケイ素の製造方法であって、金属ケイ素と、窒素系反応ガスを用意し、α窒化ケイ素からβ窒化ケイ素に転移するのを抑制するβ化抑制剤を添加し、前記金属ケイ素と、窒素系反応ガスとを直接窒化させ、β窒化ケイ素の生成を抑制しつつ、α窒化ケイ素を得ることを含んでなる、製造方法により達成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
α窒化ケイ素の製造方法であって、
金属ケイ素と、窒素系反応ガスを用意し、
α窒化ケイ素からβ窒化ケイ素に転移するのを抑制するβ化抑制剤を添加し、
前記金属ケイ素と、窒素系反応ガスとを直接窒化させ、
β窒化ケイ素の生成を抑制しつつ、α窒化ケイ素を得ることを含んでなる、製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
審査官引用 (16件)
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特表平3-500640
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特表平3-500640
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特開昭63-170202
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特開昭63-170202
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面状発熱体およびそれを具備する画像定着装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2012-188464
出願人：コニカミノルタ株式会社
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特表平3-500640
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非水電解質二次電池
公報種別：公開公報
出願番号：特願2006-256381
出願人：松下電器産業株式会社, 住友金属鉱山株式会社
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特開昭63-170202
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III-V族化合物半導体の気相成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-089338
出願人：日立電線株式会社
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特表平3-500640
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特開昭63-170202
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特開昭51-048800
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特開昭51-048800
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特開昭51-048800
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特表平3-500640
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特開昭63-170202
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引用文献：
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