銅錯体の製造方法およびこれを含有する導電膜形成用組成物

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：西澤利夫 , 續成朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-116153
公開番号（公開出願番号）：特開2017-001978
出願日： 2015年06月08日
公開日（公表日）： 2017年01月05日
要約：

【課題】高濃度で保存性に優れた導電膜形成用組成物の調製が可能である、構造的に安定な銅錯体の製造方法を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される、銅化合物とアルカノールアミンとからなる5員環または6員環構造の銅錯体の製造方法であって、前記銅化合物1molに対して、前記アルカノールアミンを1mol以上2mol未満添加する。【化1】 [式中、R1およびR2は各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、R3およびR4は各々独立に、任意の置換基を表し、nは2または3である]【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記式(1)で表される、銅化合物とアルカノールアミンとからなる5員環または6員環構造の銅錯体の製造方法であって、前記銅化合物1molに対して、前記アルカノールアミンを1mol以上2mol未満添加することを特徴とする銅錯体の製造方法。

IPC (7件)：

C07C 213/08 , C07F 1/08 , H01B 13/00 , H01B 5/14 , C07C 215/08 , C07C 53/06 , C07C 51/347

FI (7件)：

C07C213/08 , C07F1/08 C , H01B13/00 503Z , H01B5/14 Z , C07C215/08 , C07C53/06 , C07C51/347

Fターム (18件)：

4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB91 , 4H006AC41 , 4H006AC46 , 4H006AC52 , 4H006BN10 , 4H006BS70 , 4H006BU32 , 4H048AA02 , 4H048AA03 , 4H048AB91 , 4H048VA56 , 4H048VB10 , 4H048VB20 , 4H048VB40 , 5G307GA06 , 5G323AA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-071935 出願人：富士フイルム株式会社
導電性ペースト及びそれを用いた銅膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-338884 出願人：ナミックス株式会社
導電膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-061787 出願人：富士フイルム株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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