特許
J-GLOBAL ID：201703012026907450
高電圧電力用半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
加藤 久
, 久保山 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-123461
公開番号（公開出願番号）：特開2013-251338
特許番号：特許第6153151号
出願日： 2012年05月30日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の第1導電型半導体層と、
前記第1の第1導電型半導体層の一方の面に選択的に形成された第1の第2導電型層と、
前記第1の第1導電型半導体層の他方の面に形成された第2の第1導電型層と、
前記第1の第2導電型層に接して前記第1の第1導電型半導体層に形成されたトレンチと、
前記トレンチ内に充填された絶縁体と、
前記トレンチにおける前記第1の第2導電型層側の側壁ならびに底部に形成された第2の第2導電型層と、
前記第2の第2導電型層と離隔し、前記トレンチにおける底部であって、前記第2の第2導電型層が形成された前記トレンチの側壁と前記絶縁体を挟んで対向する側壁側の底部のみに接して形成された第3の第1導電型層と
を有する高電圧電力用半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/868 ( 200 6.01)
, H01L 29/861 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 29/06 ( 200 6.01)
, H01L 21/329 ( 200 6.01)
H01L 29/91 D
, H01L 29/78 652 N
, H01L 29/06 301 S
, H01L 29/06 301 V
, H01L 29/06 301 D
, H01L 29/91 B
