特許
J-GLOBAL ID：201703012740588113
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
池田 憲保
, 佐々木 敬
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-521020
特許番号：特許第6191966号
出願日： 2013年04月24日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 平坦な基板面上に配置される第一の磁性層と、前記第一の磁性層の上方に配置され前記第一の磁性層に静磁結合あるいは交換結合により磁気的に結合される第二の磁性層とを備える半導体装置であって、
前記第一の磁性層と前記第二の磁性層との間には、前記第一の磁性層と前記第二の磁性層との磁気的な結合を阻害しない膜厚の第三の薄膜層が形成されており、
前記第二の磁性層は、第一のアイランドパターンと第二のアイランドパターンとを有し、
前記第三の薄膜層の表面は、前記第一の磁性層上で露出している、
ことを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 43/08 ( 200 6.01)
, H01L 43/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01F 10/16 ( 200 6.01)
, H01F 41/34 ( 200 6.01)
, H01F 10/14 ( 200 6.01)
H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, H01L 27/105 447
, H01F 10/16
, H01F 41/34
, H01F 10/14
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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