特許
J-GLOBAL ID:201703012833271896
磁気素子、磁気素子を製造する方法、および磁気メモリ装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (3件):
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-049981
公開番号(公開出願番号):特開2017-168514
出願日: 2016年03月14日
公開日(公表日): 2017年09月21日
要約:
【課題】電流駆動により、従来の磁気構造よりも安定して高速で移動する磁気構造が形成された磁気素子を提供する。【解決手段】磁気素子は、面直方向に磁化され且つ反強磁性交換結合した第1磁性層および第2磁性層を備える。第1磁性層および第2磁性層には、第1磁性層側から見て互いに回転方向が逆である一対の渦状磁気構造が形成されている。各渦状磁気構造の中心部と該渦状磁気構造の外部とで、磁気モーメントの向きが反平行である。渦状磁気構造対は、第1磁性層の一部にレーザ光を照射して局所的な加熱を行うステップと、第1磁性層の磁化方向と逆向きに外部磁場を印加し、第1磁性層の一部で磁気モーメントを反転させるステップとを経て製造される。【選択図】図1
請求項(抜粋):
面直方向に磁化され且つ反強磁性交換結合した第1磁性層および第2磁性層を備え、
前記第1磁性層および前記第2磁性層には、前記第1磁性層側から見て互いに回転方向が逆である一対の渦状磁気構造が形成され、
各渦状磁気構造の中心部と該渦状磁気構造の外部とで、磁気モーメントの向きが反平行である、
磁気素子。
IPC (5件):
H01L 43/08
, H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/12
, H01L 43/10
FI (4件):
H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
, H01L43/12
, H01L43/10
Fターム (25件):
4M119AA01
, 4M119AA05
, 4M119BB01
, 4M119CC10
, 4M119DD05
, 4M119DD17
, 4M119JJ09
, 4M119KK10
, 5F092AA03
, 5F092AA04
, 5F092AA15
, 5F092AB06
, 5F092AC12
, 5F092AD23
, 5F092AD24
, 5F092BB23
, 5F092BB24
, 5F092BB35
, 5F092BB36
, 5F092BB42
, 5F092BB43
, 5F092BB44
, 5F092BB45
, 5F092CA25
, 5F092GA03
引用特許:
引用文献:
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