特許

J-GLOBAL ID：201703015088357766

半導体薄膜の形成方法

発明者： 黒澤 昌志 ,  田岡 紀之 ,  中塚 理 ,  財満 鎭明 ,  池上 浩
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学 ,  国立大学法人九州大学 ,  ギガフォトン株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014054515
公開番号（公開出願番号）：WO2014-136614
出願日： 2014年02月25日
公開日（公表日）： 2014年09月12日
要約：

本開示の半導体薄膜の形成方法は、基板の上に、Ge、Si、およびSiGe混合物のうちのいずれかと、0.1at%以上、20at%以下のSnとを含有する薄膜を成膜することと、前記薄膜にパルスレーザ光を照射することとを含んでもよい。

請求項（抜粋）：

基板の上に、Ge、Si、およびSiGe混合物のうちのいずれかと、0.1at%以上、20at%以下のSnとを含有する薄膜を成膜することと、 前記薄膜にパルスレーザ光を照射することと を含む半導体薄膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  C30B 1/08

FI (2件)：

H01L21/20 ,  C30B1/08

Fターム (34件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077BA05 ,  4G077CA04 ,  4G077CA06 ,  4G077CA07 ,  4G077CA10 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077JA01 ,  4G077JA06 ,  4G077JB01 ,  4G077JB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CC08 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CE06 ,  5F152CE12 ,  5F152CE16 ,  5F152CE32 ,  5F152CE38 ,  5F152EE13 ,  5F152EE16 ,  5F152EE18 ,  5F152FF01 ,  5F152FF43 ,  5F152FF44 ,  5F152FG03 ,  5F152FG04 ,  5F152FG21 ,  5F152FH03