半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：山川茂樹 , 山川政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-055200
公開番号（公開出願番号）：特開2017-168783
出願日： 2016年03月18日
公開日（公表日）： 2017年09月21日
要約：

【課題】ScAlMgO4の単結晶からなる基板を用いることで、より性能のよい窒化物半導体による素子が製造できるようにする。【解決手段】第1工程S101で、ScAlMgO4の単結晶からなる基板の主表面以外の側面および底面をMgの拡散を抑制する抑制被膜で覆い(抑制被膜被覆工程)、第2工程S102で、基板と素子となる窒化物半導体の層との間にMgの拡散を抑制する抑制層を形成する(抑制層形成工程)。次に、第3工程S103で、基板の主表面上(抑制層上)に窒化物半導体の層を積層して窒化物半導体からなる素子を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ScAlMgO4の単結晶からなる基板の主表面上に窒化物半導体の層を積層して窒化物半導体からなる素子を形成する半導体装置の製造方法において、前記基板と前記素子となる窒化物半導体の層との間にMgの拡散を抑制する抑制層を形成する抑制層形成工程、および、前記基板の主表面以外の側面および底面をMgの拡散を抑制する抑制被膜で覆う抑制被膜被覆工程の少なくとも一方を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01S 5/343 , C30B 25/18 , C30B 29/38 , C23C 16/34 , H01L 21/205

FI (5件)：

H01S5/343 610 , C30B25/18 , C30B29/38 D , C23C16/34 , H01L21/205

Fターム (43件)：

4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077HA06 , 4G077TA04 , 4G077TB05 , 4G077TC19 , 4G077TK01 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030CA05 , 4K030CA12 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA10 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB30 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AF07 , 5F045BB14 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA56 , 5F173AG08 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AH50 , 5F173AP62 , 5F173AP82 , 5F173AR81 , 5F173AR92

引用特許：

審査官引用 (1件)

単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2015-039155 出願人：国立大学法人東北大学, 株式会社福田結晶技術研究所

引用文献：

審査官引用 (2件)

ScAlMgO4基板上へのGaN薄膜成長における不純物混入の抑制
ScAlMgO4基板上へのGaN薄膜成長における不純物混入の抑制

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