特許

J-GLOBAL ID：201703016923149432

希土類薄膜磁石及びその製造方法

発明者： 中野 正基 ,  福永 博俊 ,  柳井 武志 ,  澤渡 広信
出願人/特許権者： JX金属株式会社
代理人 (2件)： 小越 勇 ,  小越 一輝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-556505
特許番号：特許第6178521号
出願日： 2015年10月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Si基板上に直接成膜したNd-Fe-Bからなる希土類薄膜磁石であって、前記希土類薄膜の膜厚が70μm以下の場合、Nd含有量が原子数比で0.15≦Nd/(Nd+Fe)≦0.25の条件式を満たし、前記希土類薄膜の膜厚が70μm〜115μm(但し、70μmは除く)の場合、Nd含有量が原子数比で0.18≦Nd/(Nd+Fe)≦0.25の条件式を満たし、前記希土類薄膜の膜厚が115μm〜160μm(但し、115μmは除く)の場合、Nd含有量が原子数比で0.20≦Nd/(Nd+Fe)≦0.25の条件式を満たすことを特徴とする希土類薄膜磁石。

IPC (8件)：

H01F 10/14 ( 200 6.01) ,  H01F 10/28 ( 200 6.01) ,  H01F 41/20 ( 200 6.01) ,  H01F 1/057 ( 200 6.01) ,  H01F 41/02 ( 200 6.01) ,  C23C 14/28 ( 200 6.01) ,  C23C 14/58 ( 200 6.01) ,  C23C 14/14 ( 200 6.01)

FI (8件)：

H01F 10/14 ,  H01F 10/28 ,  H01F 41/20 ,  H01F 1/057 ,  H01F 41/02 G ,  C23C 14/28 ,  C23C 14/58 A ,  C23C 14/14 F

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 希土類薄膜磁石
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-105964   出願人：日立金属株式会社
• 希土類薄膜磁石の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-272892   出願人：国立大学法人名古屋工業大学
• 成膜方法及び成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-262596   出願人：国立大学法人長崎大学

引用文献：

出願人引用 (1件)

• Effect of laser beam parameters on magnetic properties of Nd-Fe-B thick-film magnets fabricated by p