特許
J-GLOBAL ID:201703018469128924

放射線検出素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 長谷川 芳樹 ,  諏澤 勇司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-060685
公開番号(公開出願番号):特開2017-173174
出願日: 2016年03月24日
公開日(公表日): 2017年09月28日
要約:
【課題】高分解能かつ高感度のイメージングを実現することが可能な放射線検出素子を提供する。【解決手段】放射線検出素子の製造方法は、壁部17で仕切られた複数の収容部15にシンチレータ材料25が埋め込まれた放射線検出素子の製造方法であって、シンチレータ材料25を加熱により放出して蒸着させるための蒸着源7と、壁部17で仕切られた複数の収容部15が主面13aに沿って配列して形成された基板Sと、冷却面9aを有する冷却装置9とを、基板Sの複数の収容部15の開口15bが蒸着源7に対向し、基板Sの主面13bが冷却装置9の冷却面9aに接するように、真空容器3内に配置し、真空容器3内において、蒸着源7を加熱してシンチレータ材料25を放出させると共に、基板Sの主面13bを冷却装置9を用いて冷却する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
壁部で仕切られた複数の収容部にシンチレータ材料が埋め込まれた放射線検出素子の製造方法であって、 シンチレータ材料を加熱により放出して蒸着させるための蒸着源と、壁部で仕切られた複数の収容部が表面に沿って配列して形成された基板と、冷却面を有する冷却装置とを、前記基板の前記複数の収容部の開口が前記蒸着源に対向し、前記基板の前記開口の反対側の面が前記冷却装置の前記冷却面に接するように、真空容器内に配置し、 前記真空容器内において、前記蒸着源を加熱して前記シンチレータ材料を放出させると共に、前記基板の前記開口の反対側の面を前記冷却装置を用いて冷却する、 放射線検出素子の製造方法。
IPC (2件):
G21K 4/00 ,  G01T 1/20
FI (4件):
G21K4/00 A ,  G01T1/20 B ,  G01T1/20 G ,  G01T1/20 E
Fターム (16件):
2G083AA02 ,  2G083AA08 ,  2G083BB01 ,  2G083CC03 ,  2G083CC04 ,  2G083DD02 ,  2G083DD14 ,  2G083DD16 ,  2G083EE02 ,  2G083EE03 ,  2G188BB02 ,  2G188CC09 ,  2G188CC16 ,  2G188CC22 ,  2G188DD05 ,  2G188DD44
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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