特許

J-GLOBAL ID：201703018631546239

半導体装置及びその製造方法

発明者： 本庄 弘明 ,  深見 俊輔 ,  木下 啓蔵 ,  大野 英男
出願人/特許権者： 日本電気株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (3件)： 池田 憲保 ,  佐々木 敬 ,  松田 順一
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014058703
公開番号（公開出願番号）：WO2014-168012
出願日： 2014年03月19日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

平坦な基板面上に配置される、軟磁性材料による第1の磁性層と、前記第1の磁性層の上方に配置され前記第1の磁性層に静磁結合あるいは交換結合により磁気的に結合される第2の磁性層と、を備える半導体装置であって、少なくとも前記第1の磁性層の上面の一部に対応する領域に導電性薄膜層11が形成されている。

請求項（抜粋）：

磁気的に結合した二つ以上の異なる磁性材料層が積層されている半導体装置の製造方法において、 前記異なる磁性材料層のうちの上層の磁性材料層を、プラズマあるいはイオンビームを用いたエッチングにより、下層の磁性材料層と平面形状が異なるように加工した後に、少なくとも前記エッチングにより除去された前記上層の磁性材料層の領域であって前記下層の磁性材料層の上面に対応する領域に導電性薄膜層を形成し、熱処理を行うことにより、前記プラズマあるいはイオンビーム照射による前記下層の磁性材料層の変質を回復することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/12 ,  H01L21/302 104C

Fターム (37件)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119BB20 ,  4M119CC10 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD26 ,  4M119GG01 ,  4M119JJ09 ,  4M119JJ13 ,  4M119KK04 ,  4M119KK05 ,  5F004AA09 ,  5F004BA11 ,  5F004BA20 ,  5F004CB15 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DB07 ,  5F004DB08 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB30 ,  5F092BB42 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC42 ,  5F092CA08 ,  5F092CA20 ,  5F092CA25