特許
J-GLOBAL ID：201703019693298335
窒化物半導体自立基板作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (2件)：
山川 茂樹
, 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-105969
公開番号（公開出願番号）：特開2017-210391
出願日： 2016年05月27日
公開日（公表日）： 2017年11月30日
要約：
【課題】より安価に貫通転位密度の少ない窒化物半導体自立基板が作製できるようにする。【解決手段】成長基板101の上に、六方晶系の窒化ホウ素(h-BN)からなる分離層102を形成し、分離層102の上にAlNからなるAlN層103を+c軸方向に結晶成長し、AlN層103の主表面を酸化して酸化アルミニウムに変質させて変質層104とし、変質層104の主表面を窒化して主表面をN極性とした成長準備層105とし、成長準備層105の上に、GaNを窒素極性で結晶成長してGaNの結晶からなるブール106を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
成長基板の上に六方晶系の窒化ホウ素からなる分離層を形成する第1工程と、
前記分離層の上にAlNからなるAlN層を+c軸方向に結晶成長する第2工程と、
前記AlN層の主表面を酸化して変質させて変質層とする第3工程と、
前記変質層の主表面を窒化して主表面をN極性とした成長準備層とする第4工程と、
主表面をN極性とした前記成長準備層の上に、GaN、AlN、InGaN、およびInNのいずれかの窒化物半導体を窒素極性で結晶成長して前記窒化物半導体の結晶からなるブールを作製する第5工程と、
前記成長基板を前記分離層で分離することで前記ブールより前記成長基板を取り除く第6工程と、
前記ブールを分割して複数の窒化物半導体自立基板を作製する第7工程と
を備えることを特徴とする窒化物半導体自立基板作製方法。
IPC (5件)：
C30B 29/38
, C30B 25/18
, C23C 16/34
, C23C 16/02
, H01L 21/205
C30B29/38 A
, C30B25/18
, C23C16/34
, C23C16/02
, H01L21/205
, C30B29/38 C
, C30B29/38 D
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DB08
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EF01
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077TA01
, 4G077TA04
, 4G077TB05
, 4G077TK01
, 4G077TK06
, 4G077TK08
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA05
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030FA10
, 4K030JA01
, 4K030JA05
, 4K030JA06
, 4K030JA09
, 4K030JA10
, 4K030LA14
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB15
, 5F045AB17
, 5F045AC03
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AD08
, 5F045AD14
, 5F045AE25
, 5F045BB12
, 5F045CA07
, 5F045CA09
, 5F045CB00
, 5F045DA53
, 5F045DA67
, 5F045HA06
, 5F045HA16
