特許

J-GLOBAL ID：201703020496202065

レーザアニール装置

発明者： 池上 浩 ,  若林 理
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  ギガフォトン株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2014057291
公開番号（公開出願番号）：WO2014-156818
出願日： 2014年03月18日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：

本開示のレーザアニール装置は、被加工物に形成された薄膜に照射されるパルスレーザ光を出射するレーザ光源部と、前記パルスレーザ光のパルス幅を変化させるパルス幅可変部と、前記パルスレーザ光が照射された前記薄膜の溶融状態を検出する溶融状態計測部と、前記溶融状態計測部による検出結果に基づいて前記薄膜の溶融状態持続時間を求め、前記溶融状態持続時間が所定の長さとなるように、前記パルス幅可変部を制御する制御部とを備えてもよい。

請求項（抜粋）：

被加工物に形成された薄膜に照射されるパルスレーザ光を出射するレーザ光源部と、 前記パルスレーザ光のパルス幅を変化させるパルス幅可変部と、 前記パルスレーザ光が照射された前記薄膜の溶融状態を検出する溶融状態計測部と、 前記溶融状態計測部による検出結果に基づいて前記薄膜の溶融状態持続時間を求め、前記溶融状態持続時間が所定の長さとなるように、前記パルス幅可変部を制御する制御部と を備えたレーザアニール装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L21/268 T ,  H01L21/268 G ,  H01L21/20

Fターム (35件)：

4E168AC01 ,  4E168AD18 ,  4E168CA01 ,  4E168CA02 ,  4E168CA07 ,  4E168DA04 ,  4E168DA06 ,  4E168DA24 ,  4E168DA25 ,  4E168DA43 ,  4E168EA13 ,  4E168EA20 ,  4E168JA12 ,  4E168JA14 ,  4E168JA27 ,  5F152AA17 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CE05 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152CF13 ,  5F152EE02 ,  5F152EE03 ,  5F152EE05 ,  5F152EE20 ,  5F152FF03 ,  5F152FF06 ,  5F152FF28 ,  5F152FF47 ,  5F152FG03 ,  5F152FG05 ,  5F152FG19 ,  5F152FG29 ,  5F152FH19