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J-GLOBAL ID：201802222972936063   整理番号：18A2090308

高圧下における酸化物半導体ZnOのラマン分光

著者 (4件)： 小松田沙也加 (一関工高専) ,  高橋凌 (岩手大 工) ,  中山敦子 (岩手大 理工) ,  中野智志 (NIMS)
資料名： 高圧討論会講演要旨集  (Abstracts. HPCJ)
巻： 59th  ページ： 197  発行年： 2018年11月13日 
JST資料番号： L1222A  ISSN： 0917-6373  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 高圧 ,  *化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *Raman分光法 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  加圧 ,  電子構造 ,  多結晶 ,  粉体 ,  媒質 ,  ダイヤモンドアンビル ,  Ramanスペクトル ,  圧力効果 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  構造相転移 ,  岩塩型結晶 ,  窒素 ,  ドーピング ,  脂肪族アルコール
準シソーラス用語： 金属酸化物半導体 ,  *酸化物半導体 ,  圧力媒体 ,  ダイヤモンドアンビルセル ,  ウルツ鉱型構造

分類 (2件)： 無機化合物の赤外・Ramanスペクトル(分子)  (BH06032B) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

物質索引 (2件)： メタノール ,  エタノール

タイトルに関連する用語 (4件)： 高圧 ,  酸化物半導体 ,  ZnO ,  ラマン分光