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J-GLOBAL ID：201802223296987038   整理番号：18A1697726

中性粒子ビームエッチングによりGaN表面に導入された損傷の界面顕微光応答法による2次元評価

著者 (4件)： 塩島謙次 (福井大 大学院) ,  末光哲也 (東北大 集積セ) ,  尾崎卓哉 (東北大 流体科研) ,  寒川誠二 (東北大 流体科研)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-PA6-4  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *照射損傷 ,  *中性粒子入射 ,  エッチング ,  光学顕微鏡法 ,  干渉顕微鏡 ,  Schottky障壁 ,  応答 ,  光照射 ,  MOCVD ,  基板 ,  サファイア
準シソーラス用語： Nomarski型微分干渉顕微鏡 ,  光応答

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中性粒子ビーム ,  エッチング ,  GaN ,  損傷 ,  界面顕微光応答法 ,  2次元 ,  評価