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J-GLOBAL ID：201802226726083946   整理番号：18A1698809

自由エネルギー表式によるAlN(0001)基板上におけるGaN薄膜の成長様式に関する理論的解析

著者 (5件)： 積木伸之介 (三重大 大学院) ,  PRADIPTO A.-M. (三重大 大学院) ,  秋山亨 (三重大 大学院) ,  中村浩次 (三重大 大学院) ,  伊藤智徳 (三重大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-PA4-7  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,  半導体材料 ,  化合物半導体 ,  窒化ガリウム ,  半導体薄膜 ,  薄膜成長 ,  *島状構造 ,  *量子ドット ,  *MBE成長 ,  *Stranski-Krastanov成長 ,  ファセット ,  転位【結晶】 ,  自由エネルギー ,  表面エネルギー
準シソーラス用語： 成長モード

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自由エネルギー ,  AlN ,  GaN ,  薄膜 ,  成長 ,  様式 ,  理論 ,  解析