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J-GLOBAL ID：201802240575730687   整理番号：18A1699758

溶液処理非晶質インジウム亜鉛酸化物薄膜トランジスタの輸送特性に及ぼす湿式O₂アニーリングの影響

Effects of Wet O₂ Annealing on the Transfer Characteristics of Solution Processed Amorphous Indium Zinc Oxide Thin-film Transistors

著者 (5件)： JALLORINA Michael Paul A. (NAIST) ,  BERMUNDO Juan Paolo S. (NAIST) ,  FUJII Mami N. (NAIST) ,  ISHIKAWA Yasuaki (NAIST) ,  URAOKA Yukiharu (NAIST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-234A-18  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 溶液成長 ,  *スピンコーティング ,  *非晶質半導体 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  特性 ,  *熱処理 ,  湿式酸化
準シソーラス用語： 酸化インジウム亜鉛 ,  *酸化物薄膜 ,  輸送特性 ,  アニーリング効果

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 溶液処理 ,  非晶質 ,  インジウム ,  亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  輸送特性 ,  O2 ,  アニーリング