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J-GLOBAL ID：201802247817512046   整理番号：18A2009639

AlGaN/GaNヘテロ構造トランジスタを基盤とする高感度化学センサの検討

著者 (4件)： 小松祐斗 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  植村圭佑 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  渡久地政周 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研究セ)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集(CD-ROM)
巻： 2018  ページ： ROMBUNNO.2G07  発行年： 2018年09月11日 
JST資料番号： X0038B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  pH依存性 ,  *電気化学センサ ,  ヘテロ構造 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *イオン感応性電界効果トランジスター

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  電気分析一般  (CC05010C)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  トランジスタ ,  基盤 ,  高感度 ,  化学センサ