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J-GLOBAL ID:201802250914945211   整理番号:18A1234553

溶媒配位SnX2錯体を原料に用いたSn系ペロブスカイト太陽電池の作製

著者 (7件):
資料名:
巻: 98th  ページ: ROMBUNNO.2I1-10  発行年: 2018年03月06日 
JST資料番号: S0493B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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Sn系ペロブスカイト太陽電池は,環境負荷の少ない太陽電池として期待されている。しかし,Pb系の太陽電池に比べて,依然,光電変換効率が低くその再現性にも乏しい状況にある。我々は,[SnI2(dmf)]などの一連の溶媒配位SnX2錯体を新たに開発し,これらを前駆体材料に用いたFA0.75MA0.25SnI3層の製膜法の開発に取り組んだ。塗布条件を詳細に検討することで膜質が著しく向上し,これにより5%以上の光電変換効率を再現性よく示すセルが作製可能になった。(著者抄録)
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
太陽電池  ,  非遷移金属元素の錯体 

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