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{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201802260096289854   整理番号:18A1353471

ジチオレン錯体に基づく高導電性ラングミュア・ブロジェット(LB)膜の作製と評価

著者 (2件):
資料名:
巻: 42nd  ページ: ROMBUNNO.1O10  発行年: 2018年 
JST資料番号: L1801A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
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第11族,第12族元素の錯体  ,  電極過程 
物質索引 (3件):
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