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J-GLOBAL ID：201802276058089732   整理番号：18A0989643

超低消費電力フォトニックノード回路のためのシリコンフォトニクスデバイスの基礎研究

著者 (8件)： 中津原克己 (神奈川工科大) ,  小室貴紀 (神奈川工科大) ,  黄啓新 (神奈川工科大) ,  瑞慶覧章朝 (神奈川工科大) ,  工藤嗣友 (神奈川工科大) ,  木村誠聡 (神奈川工科大) ,  丸山充 (神奈川工科大) ,  三栖貴行 (神奈川工科大)
資料名： 神奈川工科大学先端工学研究センター研究報告(CD-ROM)  (Memoirs of Experiment and Research Center, Kanagawa Institute of Technology (CD-ROM))
巻： 21  ページ： 12-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： L3303B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・フォトニックデバイス実現の要素技術として,強誘電性液晶(FLC)装荷導波路を用いたデバイスとその集積化技術の確認が研究の目的。
・光信号の経路切替のOXC実現のための,1XNチャネルフェーズドアレイ型光スイッチを開発。
・波長選択光スイッチの基礎研究として,Si₃N₄コア層グレーティング導波路の素子の試作により小型化を確認し,試作したNb₂O₅コア層グレーティング導波路の動作を確認。
・集積化技術では,非相反光デバイスの研究としてシリコン上のCe:YIG薄膜の特性評価を行い,コンタクトエピタキシャル法を施す事により磁気光学効果を発現する事を確認。

シソーラス用語： *消費電力 ,  *コンピュータ ,  *通信装置 ,  *光回路 ,  *ケイ素 ,  *固体素子 ,  *光学素子 ,  強誘電性液晶 ,  誘電体導波管 ,  フェイズドアレイ ,  光スイッチ ,  相反性 ,  磁気光学効果 ,  薄膜
準シソーラス用語： *ネットワークノード ,  *フォトニックデバイス ,  *超低消費電力 ,  非相反性

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 低消費電力 ,  基礎 ,  研究