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J-GLOBAL ID:201802276317577704   整理番号:18A0362566

CuAlS2:Mn蛍光体薄膜を用いた電流注入型EL素子-ITO,ZnO,ZnS上に作製した薄膜ならびにEL素子特性-

Current injection type EL devices using CuAlS2:Mn phosphor thin films-Characteristics of phosphor thin films and EL devices prepared on ITO, ZnO, and ZnS-
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巻: 117  号: 411(EID2017 30-43)  ページ: 57-60  発行年: 2018年01月18日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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合成石英ガラス基板およびITO膜,ZnO膜,ZnS膜付きガラス基板上に電子線蒸着法によりCuAlS2:Mn蛍光体薄膜を作製した。ZnS膜上に作製した薄膜は,下地のZnSが成膜中にS補償として働いたことにより結晶性が向上し,PL強度が増加した。一方,ITO膜やZnO膜上に作製した薄膜は,接合界面で相互拡散が発生しているため,PL発光強度が低下した。これらの成果はヘテロ接合電流注入型EL素子の構造を考える際に重要な指針となる。(著者抄録)
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分類 (1件):
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発光素子 

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