文献

J-GLOBAL ID：201802290221372359   整理番号：18A0118534

グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討

Analytical study for electric resistance of grafene

著者 (2件)： 松尾直人 (兵庫県大 大学院) ,  部家彰 (兵庫県大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 372(EID2017 11-29)  ページ： 89-92  発行年： 2017年12月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンは二次元導体であり,導体の厚みが定義できないため,シート抵抗の概念が成り立たない。グラフェンの電気抵抗値を,π電子のホッピングによる軌道を考慮して解析的に求め,シート抵抗に代わり線抵抗を定義した。更に,室温における単層グラフェンの抵抗実測値から,線抵抗を求め,隣り合う3つの炭素間をホッピングするπ電子経路抵抗を求め,その値について議論した。室温においてπ電子経路抵抗は1.3kΩになったが,散乱源のない細線の抵抗を表しており,且つ,繰り返しの最小単位であり,他条件の影響を受け難く,普遍的な値に近づくと考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *グラフェン ,  *電気抵抗 ,  *導体 ,  シート抵抗 ,  *電気抵抗率 ,  *π電子 ,  ホッピング伝導 ,  *電気伝導率 ,  室温 ,  解析的解法 ,  *半導体材料
準シソーラス用語： 二次元導体 ,  線抵抗 ,  単層グラフェン ,  経路抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (8件)：

• K.S.Novoselov, A.K.Geim, S.V.Morozov, D.Jiang, Y.Zhang, S.V.Dubonos, I.V.Grigorieva and A.A.Firsov, Science, 306, 666(2004).
• Sunkook Kim, Aniruddha Konar, Wan-Sik Hwang, Jong Hak Lee4, Jiyoul Leel, Jaehyun Yang, Changhoon Jung, Hyoungsub Kim4, Ji-Beom Yoo, Jae-Young Choi, Yong Wan Jin, Sang Yoon Lee, Debdeep Jena, Woong Choi & Kinam Kim, High-mobility and low-power thin-film transistors based on multilayer MoS₂ crystals, Nature Communications 3, 1011, 2012. D0I:10.1038/ucomms2018.
• T. Kanazawa, T. Amemiya, A. Ishikawa, V. Upadhyaya, K. Tsuruta, T. Tanaka and Y. Miyamoto, Few-layer HfS₂ transistors, Scientic Reports 6, 22277, 2016. DOI:10.1038/srep22277
• Y.Yamada-Takamura and R.Friedlein, Progress in the materials science of silicone, Sci. Technol. Adv. Mater. 15(2014)064404.
• T.Ando, Theory of Electronic States and Transport in Carbon Nanotubes, J.Phys.Soc.Jpn., 74. 777(2005)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  電気抵抗 ,  解析