特許
J-GLOBAL ID:201803004337053883
スピネルフェライトの製造方法、スピネルフェライトおよび積層構造体
発明者:
柳原 英人
柳原 英人 について
名寄せID(JGPN) 200901100363106504 ですべてを検索
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小野田 浩成
小野田 浩成 について
名寄せID(JGPN) 201750000336440081 ですべてを検索
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介川 裕章
介川 裕章 について
名寄せID(JGPN) 200901100310663827 ですべてを検索
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出願人/特許権者:
国立大学法人 筑波大学
国立大学法人 筑波大学 について
名寄せID(JGON) 201551000097159323 ですべてを検索
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国立研究開発法人物質・材料研究機構
国立研究開発法人物質・材料研究機構 について
名寄せID(JGON) 201551000096928790 ですべてを検索
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代理人 (1件):
亀井 岳行
公報種別:
公開公報
出願番号(国際出願番号):
特願2017-036895
公開番号(公開出願番号):
特開2018-142652
出願日:
2017年02月28日
公開日(公表日):
2018年09月13日
要約:
【課題】従来に比べて、垂直磁気異方性の高いスピネルフェライトを作製すること。【解決手段】基層(K2)の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライト(K3)の結晶の格子定数をbとした場合に、b
請求項(抜粋):
基層の結晶の格子定数をaとし、スピネルフェライトの結晶の格子定数をbとした場合に、b
IPC (7件):
H01F 10/20
, G11B 5/851
, G11B 5/65
, G11B 5/738
, H01F 41/18
, H01F 10/28
, H01F 1/10
FI (7件):
H01F10/20
, G11B5/851
, G11B5/65
, G11B5/738
, H01F41/18
, H01F10/28
, H01F1/10
Fターム (21件):
5D006BB01
, 5D006BB07
, 5D006CA01
, 5D006CA05
, 5D006DA08
, 5D006EA03
, 5D112AA03
, 5D112AA05
, 5D112BB04
, 5D112BD03
, 5D112FA04
, 5E040AB03
, 5E040BD05
, 5E040CA06
, 5E040HB16
, 5E040NN06
, 5E049AB04
, 5E049BA06
, 5E049CB01
, 5E049DB04
, 5E049GC01
引用特許:
出願人引用 (4件)
磁性材料、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁性材料の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法
公報種別:
公開公報
出願番号:
特願2013-170655
出願人:
国立大学法人筑波大学
特開平3-017813
酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
公報種別:
公開公報
出願番号:
特願2008-178383
出願人:
出光興産株式会社
磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別:
公開公報
出願番号:
特願2008-272198
出願人:
三星電子株式会社
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審査官引用 (4件)
磁性材料、垂直磁気記録媒体、磁気記憶装置、磁性材料の製造方法及び垂直磁気記録媒体の製造方法
公報種別:
公開公報
出願番号:
特願2013-170655
出願人:
国立大学法人筑波大学
特開平3-017813
酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
公報種別:
公開公報
出願番号:
特願2008-178383
出願人:
出光興産株式会社
磁気薄膜構造体、磁気記録媒体及びその製造方法
公報種別:
公開公報
出願番号:
特願2008-272198
出願人:
三星電子株式会社
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