特許
J-GLOBAL ID：201803006661401412
磁壁移動型メモリセル及びその初期化処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
池田 憲保
, 佐々木 敬
, 松田 順一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-543195
特許番号：特許第6260873号
出願日： 2013年09月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 磁性膜を含んだ記録層を有し、
前記記録層は、
磁化が反転可能な磁化反転領域と、
第1の電流端子を備えると共に前記磁化反転領域の第1の境界に接続されて磁化が層厚方向の第1の方向に固定され前記磁化反転領域にスピン偏極した電子を供給する第1の磁化固定領域と、
第2の電流端子を備えると共に前記磁化反転領域の第2の境界に接続されて磁化が前記第1の方向と反平行の第2の方向に固定され前記磁化反転領域にスピン偏極した電子を供給する第2の磁化固定領域と、を含み、
前記第1、第2の電流端子を通して前記記録層の膜面に平行な方向に流れる第1の電流と、前記記録層の膜面に平行な方向の第1の磁場成分とによって磁化反転が起こる第1の領域が前記第1の磁化固定領域と前記磁化反転領域に形成されると共に、磁化反転が起こらない第2の領域が前記第2の磁化固定領域に形成されるように構成し、
前記第1の電流で前記記録層に磁壁を導入し、
前記第1の電流より小さい書き込み電流で磁壁を移動する、
ことを特徴とする磁壁移動型メモリセル。
IPC (5件)：
H01L 21/8239 ( 200 6.01)
, H01L 27/105 ( 200 6.01)
, H01L 29/82 ( 200 6.01)
, H01L 43/08 ( 200 6.01)
, G11C 11/16 ( 200 6.01)
H01L 27/105 447
, H01L 29/82 Z
, H01L 43/08 Z
, G11C 11/16 100 A
, G11C 11/16 240
