磁気抵抗効果素子および磁気メモリ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人英知国際特許事務所
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016070850
公開番号（公開出願番号）：WO2017-010549
出願日： 2016年07月14日
公開日（公表日）： 2017年01月19日
要約：

微細化により高集積化された大容量の磁気メモリを実現する。磁化方向が膜面垂直方向である第1の磁性層(25)と、第1の磁性層(25)に隣接して設けられる第1の非磁性層(13)と、第1の磁性層(25)の第1の非磁性層(13)とは反対側に隣接して設けられ、磁化方向が膜面垂直方向である第2の磁性層(12)とを備え、第1の磁性層(25)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第1の非磁性層(13)との界面に界面磁気異方性エネルギー密度(Ki)を増大させる機能を有し、第2の磁性層(12)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第1の磁性層(25)の飽和磁化(Ms)よりも低い飽和磁化である、磁気抵抗効果素子及び当該磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供することができる。

請求項（抜粋）：

磁化方向が膜面垂直方向である第1の磁性層(25)と、前記第1の磁性層(25)に隣接して設けられる第1の非磁性層(13)と、前記第1の磁性層(25)の前記第1の非磁性層(13)とは反対側に隣接して設けられ、磁化方向が膜面垂直方向である第2の磁性層(12)とを備え、前記第1の磁性層(25)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、前記第1の非磁性層(13)との界面に界面磁気異方性エネルギー密度(Ki)を増大させる機能を有し、前記第2の磁性層(12)は、Co、Fe、Ni、Mnなどの3d強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、前記第1の磁性層(25)の飽和磁化(Ms)よりも低い飽和磁化である、磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 21/823 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 43/10

FI (4件)：

H01L27/105 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L43/10

Fターム (51件)：

4M119AA03 , 4M119AA11 , 4M119AA20 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD08 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD52 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119GG01 , 4M119HH01 , 4M119HH05 , 4M119KK10 , 4M119KK14 , 5F092AA04 , 5F092AA12 , 5F092AA13 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB16 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB53 , 5F092BB55 , 5F092BC03 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC14 , 5F092BC47 , 5F092BE24 , 5F092BE25 , 5F092BE27 , 5F092DA04 , 5F092DA06 , 5F092GA03

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