特許
J-GLOBAL ID:201803012610305656
レーザアニール装置
発明者:
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出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-508358
特許番号:特許第6270820号
出願日: 2014年03月18日
請求項(抜粋):
【請求項1】 被加工物に形成された薄膜に照射されるパルスレーザ光を出射するレーザ光源部と、
前記パルスレーザ光のパルス幅を変化させるパルス幅可変部と、
前記薄膜の反射率、および前記被加工物の透過率のいずれか一方を計測することにより、前記パルスレーザ光が照射された前記薄膜の溶融状態を検出する溶融状態計測部と、
前記溶融状態計測部による検出結果に基づいて前記薄膜の溶融状態持続時間を求め、前記溶融状態持続時間が所定の長さとなるように、前記パルス幅可変部を制御すると共に、固化した後の前記薄膜の状態が結晶化状態と凝集状態とのいずれであるかを、前記溶融状態計測部によって計測された前記薄膜の反射率または前記被加工物の透過率が所定の基準値を超えているか否かによって判断する制御部と
を備えたレーザアニール装置。
IPC (4件):
H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/20 ( 200 6.01)
, B23K 26/00 ( 201 4.01)
, B23K 26/354 ( 201 4.01)
FI (5件):
H01L 21/268 T
, H01L 21/268 G
, H01L 21/20
, B23K 26/00 M
, B23K 26/354
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献:
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