特許

J-GLOBAL ID：201803016561804159

強磁性トンネル接合体、これを用いた磁気抵抗効果素子及びスピントロニクスデバイス並びに強磁性トンネル接合体の製造方法

発明者： 介川 裕章 ,  シェーク トーマス ,  三谷 誠司 ,  大久保 忠勝 ,  宝野 和博 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (1件)： 續 成朗
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2017003425
公開番号（公開出願番号）：WO2017-135251
出願日： 2017年01月31日
公開日（公表日）： 2017年08月10日
要約：

本発明は、スピネル構造を有するMgAl2O4型絶縁体材料を用いたバリア層を用いて従来にはない高いトンネル磁気抵抗(TMR)比を達成することを課題とする。バリア層がスピネル構造をもつ立方晶の非磁性物質からなり、バリア層の上下に隣接する2つの強磁性層の両方がCo2FeAlのホイスラー合金からなる強磁性トンネル接合体により、前記課題を解決できる。好ましくは、前記非磁性物質がMg1-xAlx(0 請求項（抜粋）：

トンネルバリア層がスピネル構造をもつ立方晶の非磁性物質からなり、トンネルバリア層の上下に隣接する2つの強磁性層の両方がCo2FeAlのホイスラー合金からなる強磁性トンネル接合体。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10

FI (4件)：

H01L43/08 P ,  H01L27/105 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10

Fターム (39件)：

4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119JJ02 ,  4M119JJ03 ,  4M119JJ07 ,  4M119JJ09 ,  5F092AA02 ,  5F092AA11 ,  5F092AB01 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092AD25 ,  5F092BB04 ,  5F092BB05 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB34 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC03 ,  5F092BE02 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE23 ,  5F092BE27 ,  5F092CA02 ,  5F092CA15 ,  5F092CA26 ,  5F092GA01