特許
J-GLOBAL ID：201803017346418392

光デバイス及び光デバイスの製造方法

発明者：
尾崎 信彦

尾崎 信彦 について

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兼平 真吾

兼平 真吾 について

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林 佑真

林 佑真 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 和歌山大学

国立大学法人 和歌山大学 について


代理人 (1件)： 特許業務法人サンクレスト国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-002562
公開番号（公開出願番号）：特開2018-113324
出願日： 2017年01月11日
公開日（公表日）： 2018年07月19日
要約：
【課題】新規な広帯域化を達成する光デバイスの量子構造を提供する。【解決手段】光デバイスは、半導体薄膜13を備え、半導体薄膜13は、平均膜厚が臨界膜厚未満であり、3次元構造の界面15を有する。半導体薄膜の界面を、量子井戸のように2次元構造ではなく、3次元構造とすることで、薄膜の膜厚が面内でばらつきをもって分布するため、発光波長又は吸収波長が分布し、広帯域化する。また、本発明による光デバイスの製造方法は、基板上に基板とは格子定数が異なる結晶構造を有する半導体薄膜を成長させる成長工程を含む。半導体薄膜が基板とは格子定数が異なることによる歪によって、半導体薄膜の界面に3次元構造が成長する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体薄膜を備え、前記半導体薄膜は、平均膜厚が臨界膜厚未満であり、3次元構造の界面を有する 光デバイス。
IPC (3件)：
H01L 33/06 ,  H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L33/06 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205
Fターム (17件)：
5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AD09 ,  5F045AF05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA70 ,  5F173AF09 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F241AA14 ,  5F241CA05 ,  5F241CA35 ,  5F241CA66 ,  5F241CB36 ,  5F241FF16
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (9件)
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