特許

J-GLOBAL ID：201803017821408593

レーザシステム及びレーザアニール装置

発明者： 大久保 智幸 ,  池上 浩 ,  柿崎 弘司 ,  上場 康弘 ,  若林 理
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  ギガフォトン株式会社
代理人 (1件)： 保坂 延寿
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2015057779
公開番号（公開出願番号）：WO2016-147308
出願日： 2015年03月16日
公開日（公表日）： 2016年09月22日
要約：

このレーザシステムは、被加工物にパルスレーザ光を照射するレーザアニール装置の光源であるレーザシステムにおいて、パルスレーザ光を生成するレーザ装置と、パルスレーザ光のパルス時間波形を可変するパルス時間波形可変装置と、レーザアニール装置からパルス時間波形生成パラメータを受信して、パルス時間波形可変装置を制御する制御部と、を備えてもよい。

請求項（抜粋）：

被加工物にパルスレーザ光を照射するレーザアニール装置の光源であるレーザシステムにおいて、 前記パルスレーザ光を生成するレーザ装置と、 前記パルスレーザ光のパルス時間波形を可変するパルス時間波形可変装置と、 前記レーザアニール装置からパルス時間波形生成パラメータを受信して、前記パルス時間波形可変装置を制御する制御部と、 を備えるレーザシステム。

IPC (5件)：

H01S 3/10 ,  H01S 3/00 ,  H01S 3/131 ,  H01S 3/104 ,  H01L 21/268

FI (5件)：

H01S3/10 Z ,  H01S3/00 B ,  H01S3/131 ,  H01S3/104 ,  H01L21/268 T

Fターム (12件)：

5F071GG05 ,  5F071GG08 ,  5F071HH01 ,  5F071HH07 ,  5F071JJ10 ,  5F172DD06 ,  5F172EE22 ,  5F172NN05 ,  5F172NQ05 ,  5F172XX01 ,  5F172ZA02 ,  5F172ZZ01