抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ハイブリッド配向液晶(HAN)素子において,強/弱極角アンカリング力の組み合わせにより,しきい値なし,低電圧駆動,となる条件について数値解析的に検討を行った。HANセルにおける平行及び垂直配向膜のアンカリング力と液晶の弾性定数の関係より,液晶ダイレクタのセル内におけるダイレクタ分布を求めるとともに,電圧印加時の液晶再配向状態を算出した。水平配向のアンカリング力を無限大としたとき,垂直配向膜のアンカリング力がK11/dより低い場合は,ホモジニアス配向が得られ,この素子は通常のHAN素子と同様にしきい電圧をもたない。垂直配向膜のアンカリング力を無限大としたとき,水平配向のアンカリング力がK33/dより低い場合は,ホメオトロピック配向が得られる。両配向膜のアンカリング力を有限としたHANセルにおいては,臨界セル厚d
cにおいてホモジニアス配向とした場合,アンカリング力を減少させていくと,しきい電圧がなく,かつ0.5V以下で完全なホメオトロピック配向にすることも可能であることを示した。このような素子は,位相変調素子,またはゲストホスト素子において,その素子が持つ最大の位相差または透過率変化が得られることとなる。(著者抄録)