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文献
J-GLOBAL ID:201902271394105189   整理番号:19A1369463

ソルボサーマル法による(Bi2Se3)x(Bi2Te3)1-xナノプレート薄膜の作製及び第一原理計算による物性評価

著者 (7件):
資料名:
巻: 66th  ページ: ROMBUNNO.9a-PA1-7  発行年: 2019年02月25日 
JST資料番号: Y0054B  ISSN: 2436-7613  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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1.緒言 本研究ではソルボサーマル法により作製したN型(Bi2Se3)x(Bi2Te3)1-xナノプレートを印刷法により熱電半導体薄膜化させ,Seの置換率により,構造や熱電性能がどのように変化するか解析を行い,熱電半導体薄膜の性能向上を目的...【本文一部表示】
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分類 (2件):
分類
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半導体薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導 

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