特許

J-GLOBAL ID：201903006427620280

レーザドーピング装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 池上 浩 ,  諏訪 輝 ,  若林 理
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  ギガフォトン株式会社
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016059338
公開番号（公開出願番号）：WO2017-163356
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：

レーザドーピング装置は、ドーピング領域に対して、ドーパントを含む溶液を供給する溶液供給システムと、溶液を透過し、複数個のパルスを含むパルスレーザ光を出力するパルスレーザシステムと、ドーピング領域に対して照射されるパルスレーザ光のパルス数と、ドーピング領域におけるパルスレーザ光のフルーエンスとを制御する第1制御部と、パルスが照射される毎に溶液内に発生する気泡を、ドーピング領域から移動させるように溶液の流速を制御する第2制御部と、備える。

請求項（抜粋）：

基板上の多結晶シリコンにドーパントをドーピングするレーザドーピング装置において、 前記ドーピングを行うドーピング領域に対して、前記ドーパントを含む溶液を供給する溶液供給システムと、 前記溶液を透過し、前記ドーピング領域に照射されることにより、前記ドーピング領域の多結晶シリコンを溶融させるパルスレーザ光であって、複数個のパルスを含むパルスレーザ光を出力するパルスレーザシステムと、 前記パルスレーザシステムが出力する前記パルスレーザ光を、前記ドーピング領域に導光する光学系と、 前記ドーピング領域に対して照射される前記パルスレーザ光のパルス数と、前記ドーピング領域における前記パルスレーザ光のフルーエンスとを制御する第1制御部と、 前記パルスが照射される毎に前記溶液内に発生する気泡を、前記ドーピング領域から移動させるように前記溶液の流速を制御する第2制御部と、備えるレーザドーピング装置。

IPC (3件)：

H01L 21/228 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

H01L21/228 ,  H01L29/78 627G

Fターム (21件)：

5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ30 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP27 ,  5F110QQ11