特許

J-GLOBAL ID：201903014232737020

レーザアニール装置

発明者： 池上 浩 ,  大久保 智幸 ,  若林 理
出願人/特許権者： 国立大学法人九州大学 ,  ギガフォトン株式会社
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2016059339
公開番号（公開出願番号）：WO2017-163357
出願日： 2016年03月24日
公開日（公表日）： 2017年09月28日
要約：

レーザアニール装置は、連続発振によるレーザ光であって、アモルファスシリコンを予熱するCWレーザ光を出力するCWレーザ装置と、予熱されたアモルファスシリコンに対してパルスレーザ光を出力するパルスレーザ装置と、CWレーザ光及びパルスレーザ光をアモルファスシリコンに導光する光学システムと、アモルファスシリコンが融点未満の所定の目標温度に予熱されるようにCWレーザ光の照射エネルギ密度を制御し、かつ、予熱されたアモルファスシリコンが結晶化するようにパルスレーザ光のフルーエンスとパルス数の少なくとも一方を制御する制御部とを、備えている。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファスシリコンが形成された被照射物に対して、パルス発振によるパルスレーザ光を照射してアニールするレーザアニール装置において、 連続発振によるレーザ光であって、前記アモルファスシリコンを予熱するCWレーザ光を出力するCWレーザ装置と、 予熱された前記アモルファスシリコンに対して前記パルスレーザ光を出力するパルスレーザ装置と、 前記CWレーザ光及び前記パルスレーザ光を前記アモルファスシリコンに導光する光学システムと、 前記アモルファスシリコンが融点未満の所定の目標温度に予熱されるように前記CWレーザ光の照射エネルギ密度を制御し、かつ、予熱された前記アモルファスシリコンが結晶化するように前記パルスレーザ光のフルーエンスとパルス数の少なくとも一方を制御する制御部とを、備えているレーザアニール装置。

IPC (2件)：

H01L 21/268 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L21/268 J ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 T

Fターム (19件)：

5F152AA06 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC04 ,  5F152CE05 ,  5F152EE02 ,  5F152EE05 ,  5F152FF02 ,  5F152FF06 ,  5F152FF09 ,  5F152FF32 ,  5F152FF44 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG04 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH03 ,  5F152FH05