文献
J-GLOBAL ID:200902000472655703
整理番号:92A0786758
シリコン-カーバイド高電圧(400V)Schottky障壁ダイオード
Silicon-Carbide High-Voltage(400V) Schottky Barrier Diodes.
著者 (3件):
BHATNAGAR M
(North Carolina State Univ., NC)
,
MCLARTY P K
(North Carolina State Univ., NC)
,
BALIGA B J
(North Carolina State Univ., NC)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
13
号:
10
ページ:
501-503
発行年:
1992年10月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)