文献
J-GLOBAL ID:200902000671366222
整理番号:93A0051873
H中で成長させて低温における脱イオン化放射線照射によってHを除くことによるワイドギャップ半導体の補償効果の抑制
Defeating Compensation in Wide Gap Semiconductors by Growing in H that is Removed by Low Temperature De-Ionizing Radiation.
著者 (4件):
VAN VECHTEN J A
(Oregon State Univ., Oregon, USA)
,
ZOOK J D
(Honeywell Inc., Minnesota, USA)
,
HORNING R D
(Honeywell Inc., Minnesota, USA)
,
GOLDENBERG B
(Honeywell Inc., Minnesota, USA)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
31
号:
11
ページ:
3662-3663
発行年:
1992年11月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)