文献
J-GLOBAL ID:200902000718400114
整理番号:91A0342456
ギャップ状態模型を用いた非晶質シリコン薄膜トランジスタ用の二次元デバイスシミュレータVENUS-2D/B
Two-dimensional device simulator VENUS-2D/B for amorphous silicon thin-film transistors using a gap-state model.
著者 (4件):
ISHIZUKA T
(Fuji Research Inst. Corp., Tokyo)
,
SUMINO K
(Fuji Research Inst. Corp., Tokyo)
,
IRIYE Y
(Fuji Research Inst. Corp., Tokyo)
,
HIROSE M
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻:
30
号:
2A
ページ:
L145-L148
発行年:
1991年02月01日
JST資料番号:
F0599B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)