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文献
J-GLOBAL ID:200902001110681001   整理番号:87A0156679

ドープしたGaAs/AlAs量子井戸導波路における強い8.2μm赤外サブバンド間吸収

Strong 8.2μm infrared intersubband absorption in doped GaAs/AlAs quantum well waveguides.
著者 (7件):
LEVINE B F
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
MALIK R J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
WALKER J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
CHOI K K
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
BETHEA C G
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
KLEINMAN D A
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
VANDENBERG J M
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)

資料名:
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

巻: 50  号:ページ: 273-275  発行年: 1987年02月02日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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