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文献
J-GLOBAL ID：200902001110681001
整理番号：87A0156679
ドープしたGaAs/AlAs量子井戸導波路における強い8.2μm赤外サブバンド間吸収
Strong 8.2μm infrared intersubband absorption in doped GaAs/AlAs quantum well waveguides.
LEVINE B F
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
MALIK R J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
WALKER J
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
CHOI K K
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
BETHEA C G
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
KLEINMAN D A
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
,
VANDENBERG J M
(AT&T Bell Lab., NJ, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 50 号： 5 ページ： 273-275 発行年： 1987年02月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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