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文献
J-GLOBAL ID：200902001837673087
整理番号：93A0049684
アフタグロープラズマ化学蒸着法で作製したa-Si1-xNx:H膜における引張応力の発生機構
Generation Mechanism of Tensile Stress in a-Si1-xNx:H Films Prepared by Afterglow Plasma Chemical Vapor Deposition Technique.
NAGAYOSHI H
(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo)
,
HOE W C
(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo)
,
UENO T
(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo)
,
KAMISAKO K
(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo)
,
KUROIWA K
(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo)
,
TARUI Y
(Tokyo Univ. Agriculture and Technology, Tokyo)
,
SHIMADA T
(Hitachi, Ltd., Tokyo)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 31 号： 11B ページ： L1628-1631 発行年： 1992年11月15日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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