文献
J-GLOBAL ID:200902001895626129
整理番号:90A0499285
InPの酸化及びInP上へのSiO2蒸着の分子シミュレーション
Simulation moleculaire d’oxydation de InP et de depot de SiO2 sur InP.
著者 (3件):
PHAM V V
(Lab. Automatique et d’Analyse des systemes, CNRS, Toulouse, FRA)
,
RAZAFINDRATSITA R
(Lab. Automatique et d’Analyse des systemes, CNRS, Toulouse, FRA)
,
SIMONNE J J
(Lab. Automatique et d’Analyse des systemes, CNRS, Toulouse, FRA)
資料名:
Vide, les Couches Minces
(Vide, les Couches Minces)
巻:
45
号:
251
ページ:
57-58
発行年:
1990年03月
JST資料番号:
E0358A
ISSN:
0223-4335
CODEN:
VCMIDS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
フランス (FRA)
言語:
フランス語 (FR)