文献
J-GLOBAL ID:200902001911502427
整理番号:87A0440496
電力用MESFETの不均一性によって強化した金利用のゲートシンキング
Gold-based gate-sinking enhanced by inhomogeneities in power MESFETs.
著者 (5件):
CANALI C
(Univ. Padova, Padova, ITA)
,
DONZELLI G
(Telettra SpA, Milano, ITA)
,
FANTINI F
(Telettra SpA, Milano, ITA)
,
VANZI M
(Telettra SpA, Milano, ITA)
,
PACCAGNELLA A
(Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名:
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻:
23
号:
2
ページ:
83-84
発行年:
1987年01月15日
JST資料番号:
A0887A
ISSN:
0013-5194
CODEN:
ELLEAK
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)