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文献
J-GLOBAL ID:200902001911502427   整理番号:87A0440496

電力用MESFETの不均一性によって強化した金利用のゲートシンキング

Gold-based gate-sinking enhanced by inhomogeneities in power MESFETs.
著者 (5件):
CANALI C
(Univ. Padova, Padova, ITA)
DONZELLI G
(Telettra SpA, Milano, ITA)
FANTINI F
(Telettra SpA, Milano, ITA)
VANZI M
(Telettra SpA, Milano, ITA)
PACCAGNELLA A
(Univ. Padova, Padova, ITA)

資料名:
Electronics Letters  (Electronics Letters)

巻: 23  号:ページ: 83-84  発行年: 1987年01月15日 
JST資料番号: A0887A  ISSN: 0013-5194  CODEN: ELLEAK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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